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論文

極低濃度HF水溶液を用いた陽極酸化により作製したSi基板上酸化膜の原子結合状態

新井 太貴*; 吉越 章隆; 本橋 光也*

材料の科学と工学, 60(5), p.153 - 158, 2023/10

現在、Si酸化膜は絶縁材料として電子デバイスや生体材料に広く利用されている。この膜の原子結合状態は、各デバイスの特性に影響を与えるため、特に膜のSiとOの化学結合状態の理解と制御が必要となる。本研究では、極低濃度のHF水溶液を用いた陽極酸化によってSi基板表面に形成されるSi酸化膜をX線光電子分光によって分析した。Si2pおよびF1sスペクトルを中心に調べた。HF濃度がppmオーダであるにもかかわらず、膜表面にパーセントオーダのFを含んでいることがわかった。膜中にSi-FやSi-O-F結合が形成されたことを示唆する結果である。また、FとOの深さ分布が異なることから、FとOで表面反応プロセスが異なることが推論された。

口頭

基板の表面状態がSiマイクロ・ナノロールの形状に及ぼす影響

Qiao, Y.*; 新井 太貴*; 鈴木 俊明*; 吉越 章隆; 丹羽 雅昭*; 本橋 光也*

no journal, , 

単結晶Siウェーハ表面を陽極酸化することで作製した太さ1$$mu$$m程度のロール状構造体は、さまざまなデバイスに応用できる可能性がある。本研究では、ロールの太さ及び長さを制御することを目的に、陽極酸化前のSi基板の表面状態が与える影響を検討した。陽極酸化前のPtコートがロールの太さを制御する上で有効であることがわかった。さらに、この結果が不純物添加の種類に影響を受けないことがわかった。以上の知見は、構造体の大きさや形状を自由に制御したデバイスの開発を行うことができる可能性を提示するものである。

口頭

Siマイクロ・ナノロールを含む陽極酸化膜の構造評価

新井 太貴*; Qiao, Y.*; 鈴木 俊明*; 吉越 章隆; 丹羽 雅昭*; 本橋 光也*

no journal, , 

本研究では、p型Si基板上の酸化シリコン層を陽極酸化した後の表面形態と陽極酸化時間の関係を明らかにした。陽極酸化に極めて希薄なHF溶液を用いることで、ユニークなメソ材料(Siロール)が形成される。陽極酸化中の電極間抵抗は、最初、陽極酸化時間の増加とともに増加し、その後、一定値になった。しばらくすると、再び徐々に増加した。この抵抗値は、Siロールの形成とその数を制御するための重要なパラメータと考えられる。

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